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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:LT-2型單晶少子壽命測(cè)試儀

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 產(chǎn)品廠商:其它品牌
  • 產(chǎn)品價(jià)格:0
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簡(jiǎn)單介紹:
LT-2型單晶少子壽命測(cè)試儀根據(jù)國際通用方法高頻光電導(dǎo)衰退法的原理設(shè)計(jì),由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器,特制的InGaAsp/InP紅外光源及樣品臺(tái)共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊、測(cè)量數(shù)據(jù)可靠。
詳情介紹:

LT-2型單晶少子壽命測(cè)試儀

 

LT-2型單晶少子壽命測(cè)試儀是參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測(cè)量,是半導(dǎo)體的常規(guī)測(cè)試項(xiàng)目之一。本儀器靈敏度較高,配備有紅外光源,可測(cè)量包括集成電路級(jí)硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶,以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測(cè)量等。

 

本儀器根據(jù)國際通用方法高頻光電導(dǎo)衰退法的原理設(shè)計(jì),由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器,特制的InGaAspInP紅外光源及樣品臺(tái)共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊、測(cè)量數(shù)據(jù)可靠。

 

 單晶電阻率范圍

 >2Ω.cm

 單晶少子壽命范圍

 5μS7000μS

 配備光源類型

 波長(zhǎng):1.09μm;余輝<1 μS;
 閃光頻率為:2030次/秒;
 閃光頻率為:2030次/秒;

 高頻振蕩源

 用石英諧振器,振蕩頻率:30MHz

 前置放大器

 放大倍數(shù)約25,頻寬2 Hz-1 MHz

 儀器測(cè)量重復(fù)誤差

 <±20

 測(cè)量方式

 采用對(duì)標(biāo)準(zhǔn)曲線讀數(shù)方式

 儀器消耗功率

 <25W

 儀器工作條件

 溫度: 10-35℃、 濕度 < 80%、使用電源:AC 220V,50Hz

 可測(cè)單晶尺寸

 斷面豎測(cè):φ25mm—150mm; L 2mm—500mm;
 縱向臥測(cè):φ25mm—150mm; L 50mm—800mm

 配用示波器

 頻寬0—20MHz;
 電壓靈敏:10mVcm

 

粵公網(wǎng)安備 44030402001250號(hào)